（原标题：SRAM开云(中国)开云kaiyun·官方网站，还没死！）

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跟着上一轮新工艺节点的出现，SRAM 微缩戛相干词止，预示着片上存储器价钱将越来越文静的昏昧改日。相干词，与咱们昔时所见的情况违反，SRAM 微缩显著并未住手。

台积电通告，其N2 工艺本领（2nm 级） 与上一代节点比较，在性能、能效和面积 (PPA) 方面有显耀调动。相干词，还有一件事台积电尚未公开方案：SRAM 单位彰着更小，SRAM 密度更高（38 Mb/mm^2），这将对下一代 CPU、GPU 和片上系统的资本和性能产生影响。

台积电行将推出的 N2 节点将遴选全栅 (GAA) 纳米片晶体管，有望大幅裁汰功耗并提高性能和晶体管密度。与 N3E 制造本领比较，基于 N2 制造的芯片估量功耗将裁汰 25% 至 30%（在晶体管数目和频率换取的情况下），性能将提高 10% 至 15%（晶体管数目和功率换取），晶体管密度将提高 15%（保执换取的速率和功率）。

但把柄台积电将于本年 12 月举行的 IEDM 会议上发表的论文，台积电 N2 的一个值得注视的方面是，该坐褥节点还将 HD SRAM 位单位尺寸松开至约 0.0175 μm^2（使 SRAM 密度达到 38 Mb/mm^2），低于 N3 和 N5 的 0.021 μm^ 2 。

这是一项紧要破损，因为频年来 SRAM 的扩张变得尤为贫苦。举例，台积电的 N3B（第一代 3nm 级本领）在这方面与 N5（5nm 级节点）比较上风不大，而 N3E（第二代 3nm 工艺）的 HD SRAM 位单位大小为 0.021 μm^2，与 N5 比较，在 SRAM 扩张方面莫得上风。借助 N2，台积电终于告捷松开了 HD SRAM 位单位大小，从而提高了 SRAM 密度。

台积电的 GAA 纳米片晶体管似乎是松开 HD SRAM 位单位尺寸的主要激动成分。GAA 晶体管通过用栅极材料竣工包围通说念，改善了对通说念的静电适度，有助于减少泄漏，并允许晶体管在保执性能的同期松开尺寸。这不错更好地松开晶体管尺寸，这关于松开 SRAM 单位等单个组件的尺寸至关进攻。此外，GAA 结构允许更精准地改换阈值电压，这关于晶体管举座（尤其是 SRAM 单位）的可靠开动至关进攻，从而不错进一步松开其尺寸。

当代 CPU、GPU 和 SoC 联想超过依赖 SRAM，因为这些处分器严重依赖 SRAM 当作大王人缓存，以高效处分大王人数据。从内存走访数据既消耗性能又耗电，因此富裕的 SRAM 对拒绝最好性能至关进攻。预测改日，对缓存和 SRAM 的需求将赓续增长，因此台积电在 SRAM 单位尺寸方面委果立具有超过进攻的酷好。

本年早些时期，台积电暗意，N2 的全栅极纳米片晶体管拒绝了跳跃 90% 的缱绻性能，256 Mb（32 MB）SRAM 器件的良率在某些批次中跳跃 80%。截止 2024 年 3 月，256 Mb SRAM 的平均良率已达到约 70%，较 2023 年 4 月的约 35% 大幅飞腾。器件性能也流泄露稳步耕作，在不加多功耗的情况下拒绝了更高的频率。

https://www.tomshardware.com/tech-industry/sram-scaling-isnt-dead-after-all-tsmcs-2nm-process-tech-claims-major-improvements

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